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2019-01-06 22:15 北京pk10赛车

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  碳化硅MOSFET采意图法半导体最新的手艺进行设想和制造,可降低传导损耗和开关损耗。本年9月,意法半导体展现了其在功率GaN方面的研发进展,并颁布发表将扶植一条完全及格的出产线,包罗GaN-on-Si异质外延。近日,Yole电力电子手艺与市场阐发师Ana Villamor(以下简称:AV)有幸与意法半导体功率RF和GaN产物部司理Filippo Di Giovanni(以下简称:FDG)会晤,会商意法半导体与CEA-Leti在GaN研发方面的合作环境,以及将来几年功率GaN路线图。AV:意法半导体比来与CEA-Leti展开功率GaN合作,您能够透露更多的合作细节吗?FDG:与CEA-Leti的合作伙伴关系让我们在常关型GaN HEMT(高电子迁徙率晶体管)和GaN二极管设想及研发方面进行合作。受益于CEA-Leti的学问产权(IP)和意法半导体的专业学问(Know-how),两边合作进展成功。我们将在位于法国格勒诺布尔的CEA-Leti中试线上研发产物,并在手艺成熟后转移至意法半导体的8英寸量产线(也在法国)。

  在陆家嘴街道市新居民区,家门口办事站让居民不出社区就能打点大病登记、公积金账单、衡宇租赁存案、就医本换发等常用事项。同时,在“家门口”办事扶植中,市新居民区将党建融入各方面,通过“全岗通”、自治金项目等运作,统筹整合多方资本破解小区难点、回应群众需求,构成党建引领下的社区多元主体参与管理新款式。

  去世界半导体的成长过程中,中国是追逐者的脚色,但这并不料味着企业只能以引进的体例成长。

  回首2018年,多款GaN电源产物发布,次要涉及计较机、数据核心和快速充电。估计2019~2020年期间,将会有更多GaN产物问世,实现百万美元级营收。此外,我们在上述演讲中引见了有乐趣进入GaN市场的新公司,包罗无晶圆厂(Fabless)和IDM。对于一些IDM厂商来说,在其产物组合中插手功率碳化硅(SiC)之后,将很快结构GaN手艺。意法半导体(STMicroelectronics, ST)是一家将产物组合扩展至GaN的典型公司。客岁炎天,特斯拉(Tesla)Model 3主逆变器中采用了意法半导体SiC功率模块。正如《特斯拉Model 3逆变器:意法半导体SiC功率模块》演讲中引见,该功率模块包含两个采用立异的芯片贴装处理方案的碳化硅MOSFET,并通过铜基板实现散热。

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  汽车电子是其时十分抢手的一个手艺范畴,其次要目标是通过用传感器、微处置器MPU等电控安装提高汽车的平安性、舒服性、经济性和文娱性。

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  意法半导体SiC功率模块拆卸在散热器上(来历:《特斯拉Model 3逆变器:意法半导体SiC功率模块》)AV:意法半导体GaN产物的研发情况若何?FDG:650V产物原型估计将在2019年下半年推出。AV:最初请您引见意法半导体将来五年的产物路线V产物之后,我们打算推出100V~200V产物,然后是集成处理方案,包罗封装集成和单片集成。

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  我们将研发GaN新产物,以弥补意法半导表现有的硅基和SiC功率产物。AV:意法半导体还颁布发表了与MACOM合作研发射频(RF)GaN产物。请问这两项合作之间能否有任何协同感化?FDG:没有,这两项合作是独立。与MACOM的合作旨在研发特地针对射频市场的GaN-on-Silicon产物。我们正在位于意大利卡塔尼亚的意法半导体办公室开展此项研究工作,这将使MACOM更好地进入不竭增加的电信根本设备市场,而意法半导体能够利用不异的手艺来拓展非电信行业,如ISM(工业、科学和医疗)、航空电子和射频能源。

  而为了包管汽车电子的靠得住性,相关制造商必需在元件设想之初就将失效机制纳入考量范畴之中,使其尽可能不变,足以耐受热、机械应力和恶劣的情况前提挑战,不只如斯,其还需模仿电子产物持久间的靠得住运转,最大程度保障其平安性。对于材料供应商来说,这意味着它们需要具备深挚的材料系统学问、测试手艺以及关于出产工艺的丰硕经验。王建龙先生告诉记者,贺利氏电子全球营业单位作为资深的电子拆卸及封装材料制造商,在材料设想以及出产工艺方面有着多年的经验堆集,在测试手艺方面,不只有本人的一套完美的测试方式,同时会结合其合作伙伴来进行相关的验证。

  2018年功率GaN财产链全景(来历:《功率GaN:外延、器件、使用及手艺趋向-2018版》)

  据麦姆斯征询报道,在很多电力系统中,氮化镓(GaN)是替代硅材料的合适候选者。正如Yole在《功率GaN:外延、器件、使用及手艺趋向-2018版》演讲中所阐述,GaN与保守的硅基MOSFET比拟具有惊人的手艺劣势。虽然与32.8亿美元的硅基功率半导体市场比拟,目前功率GaN市场仍然很小,但GaN器件具有较好的前景。

  AV:您对D类和E类开关模式器件有何看法?他们的方针使用是什么?FDG:所有功率转换使用,包罗曾经由MOSFET、IGBT和SiC晶体管处理的使用,都需要E类开关模式器件。在射频使用中,晶体管用于功率放大器,能够利用D类开关模式器件。AV:意法半导体GaN产物(如GaN晶体管和GaN-on-Si二极管)与其它产物有何区别?FDG:意法半导体具有丰硕的封装经验和专业学问,出格是在很是高的频次方面。再加上我们的杰出制造能力,使满意法半导体的GaN产物与其它厂商产物比拟,极具合作力。AV:从意法半导体的角度来看,选择功率产物封装的次要要素有哪些?FDG:按照我们经验,散热机能(例如双侧冷却)和低寄生电感是选择功率产物封装的两个环节要素。

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  AV:我们晓得意法半导体在SiC营业方面很活跃,你们在产物组合中若何定位SiC和GaN呢?FDG:意法半导体正在投资研发这两项冲破性手艺。SiC MOSFET根基上是1200V及更高电压的功率器件的抱负选择,而GaN则不克不及实现如斯高的电压。在650V附近,这两项手艺可能具有一些堆叠,但这仅合用于较低的频次,由于GaN手艺在很是高的1MHz开关频次下表示更好。在600V以下,GaN再次成为较着的“赢家”,不外在该范畴内,它与硅基手艺展开合作,而非SiC。简而言之,SiC MOSFET是高压和高功率使用的抱负选择,而GaN更适合低压和低功率使用,但具有高开关频次。AV:汽车是电力电子市场最主要的驱动要素之一。GaN在汽车市场中的感化是什么?估计上市时间?FDG:估计GaN将成为以下两类使用的支流开关:(1)EV(电动汽车)车载充电器(OBC)中的PFC(功率因数校正);(2)大大都汽车制造商将来几年打算推出48V电池的轻度夹杂动力项目。上市时间取决于手艺成熟的速度,而且我们能够在此根本上成立对失效机制和靠得住性问题的洞察力,这些失效机制和靠得住性问题可能与硅基产物不分歧。鉴于汽车行业的生命周期,估计2022年之后的某个时间可能会呈现快速增加。

  会议伊始,飞利浦商用显示系统总司理吴世祥登台致词,感激全国代办署理商付出的同时,对将来的合作进行规划与期许。